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TN2640K4-G

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MOSFET N-CH 400V 500MA TO252

TN2640K4-G Technisches Datenblatt

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TN2640K4-G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,000 $1.85400 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 400 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 500mA (Tj)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 2mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 225 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252, (D-Pak)
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

PSMN1R8-40YLC,115
BSS138P,215
BSS138P,215
$0 $/Stück
EKI04027
EKI04027
$0 $/Stück
NDF11N50ZG
NDF11N50ZG
$0 $/Stück
MCG55P02A-TP
RUS100N02TB
IXFY8N65X2
IXFY8N65X2
$0 $/Stück
SI2312BDS-T1-E3

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