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TP5322N8-G

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MOSFET P-CH 220V 260MA TO243AA

TP5322N8-G Technisches Datenblatt

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TP5322N8-G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,000 $0.49440 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 220 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 260mA (Tj)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 12Ohm @ 200mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 110 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.6W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-243AA (SOT-89)
Paket / Koffer TO-243AA
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Zugehörige Teilenummer

NX3008PBKVL
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NTE2386
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$0 $/Stück
FDS8690
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RSQ015N06TR
MMFT1N10ET3
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NVTYS003N03CLTWG
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HUFA75321D3

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