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VN2460N3-G-P003

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MOSFET N-CH 600V 160MA TO92-3

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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 160mA (Tj)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 20Ohm @ 100mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 2mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 150 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-92-3
Paket / Koffer TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
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