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VP2206N2

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MOSFET P-CH 60V 750MA TO39

VP2206N2 Technisches Datenblatt

nicht konform

VP2206N2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $13.50000 $13.5
25 $12.37640 $309.41
100 $12.02630 $1202.63
184 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 750mA (Tj)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 900mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 10mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 450 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 360mW (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-39
Paket / Koffer TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
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Zugehörige Teilenummer

BUK7M33-60EX
IXFH80N25X3
IXFH80N25X3
$0 $/Stück
IRLSL4030PBF
IXFT80N65X2HV
IXFT80N65X2HV
$0 $/Stück
NTP190N65S3HF
NTP190N65S3HF
$0 $/Stück
IXFH24N90P
IXFH24N90P
$0 $/Stück
APT12060LVRG

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