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APT10035B2LLG

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MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX

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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1000 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 28A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 350mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 2.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 186 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5185 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 690W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket T-MAX™ [B2]
Paket / Koffer TO-247-3 Variant
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Zugehörige Teilenummer

IRL3716PBF
STP70N10F4
STP70N10F4
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STP8NM50
STP8NM50
$0 $/Stück
IPP03N03LA
SPB47N10L
PMN27XPE,115
STP400N4F6
STP400N4F6
$0 $/Stück
STS6PF30L
STS6PF30L
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