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APT58MJ50J

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MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP

APT58MJ50J Technisches Datenblatt

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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 58A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 65mOhm @ 42A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 2.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 340 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 13500 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 540W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket ISOTOP®
Paket / Koffer SOT-227-4, miniBLOC
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Zugehörige Teilenummer

SI7452DP-T1-E3
IRF7457TRPBF
FDMC8026S
FDMC8026S
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STI90N4F3
STI90N4F3
$0 $/Stück
IXTK120N25
IXTK120N25
$0 $/Stück
DMP6185SE-7
IRFBC30S
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