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APTC80H29T1G

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APTC80H29T1G

MOSFET 4N-CH 800V 15A SP1

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APTC80H29T1G Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 4 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 15A
rds ein (max) @ id, vgs 290mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.9V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 90nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2254pF @ 25V
Leistung - max. 156W
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Paket / Koffer SP1
Lieferantengerätepaket SP1
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