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APTC90H12T1G

APTC90H12T1G

APTC90H12T1G

MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1

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APTC90H12T1G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
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2000 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 4 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion Super Junction
Drain-Source-Spannung (VDSS) 900V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A
rds ein (max) @ id, vgs 120mOhm @ 26A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 3mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 270nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6800pF @ 100V
Leistung - max. 250W
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Paket / Koffer SP1
Lieferantengerätepaket SP1
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Zugehörige Teilenummer

ISL6605CRR5151
ISL6605CRR5151
$0 $/Stück
IRF512S2532
OP524,005
OP524,005
$0 $/Stück
2N7002DW-7-F-79
IRF730R4587
VQ2001P
VQ2001P
$0 $/Stück

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