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Name | Wert |
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Produktstatus | Obsolete |
FET-Typ | 4 N-Channel (Half Bridge) |
FET-Funktion | Super Junction |
Drain-Source-Spannung (VDSS) | 900V |
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 30A |
rds ein (max) @ id, vgs | 120mOhm @ 26A, 10V |
vgs(th) (max) @ ID | 3.5V @ 3mA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 270nC @ 10V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 6800pF @ 100V |
Leistung - max. | 250W |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart | Chassis Mount |
Paket / Koffer | SP1 |
Lieferantengerätepaket | SP1 |
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