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APTM100A12STG

APTM100A12STG

APTM100A12STG

MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W

compliant

APTM100A12STG Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1000V (1kV)
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 68A
rds ein (max) @ id, vgs 120mOhm @ 34A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 10mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 616nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 17400pF @ 25V
Leistung - max. 1250W
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Paket / Koffer SP3
Lieferantengerätepaket SP3
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