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APTM10DHM09TG

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MOSFET 2N-CH 100V 139A SP4

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APTM10DHM09TG Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 139A
rds ein (max) @ id, vgs 10mOhm @ 69.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 2.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 350nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 9875pF @ 25V
Leistung - max. 390W
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Paket / Koffer SP4
Lieferantengerätepaket SP4
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