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APTM120A65FT1G

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MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1

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APTM120A65FT1G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1200V (1.2kV)
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 16A
rds ein (max) @ id, vgs 780mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 2.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 300nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7736pF @ 25V
Leistung - max. 390W
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Paket / Koffer SP1
Lieferantengerätepaket SP1
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Zugehörige Teilenummer

LP8M3FP8TB1
FDBL86210
VWM270-0075X2
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$0 $/Stück
FDPC4044-P
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$0 $/Stück
VQ1006P
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PMPB10XNE184
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OP526,005
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