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APTM120H57FT3G

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MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3

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APTM120H57FT3G Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 4 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1200V (1.2kV)
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 17A
rds ein (max) @ id, vgs 684mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 2.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 187nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5155pF @ 25V
Leistung - max. 390W
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Paket / Koffer SP3
Lieferantengerätepaket SP3
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Zugehörige Teilenummer

FDC6000NZ
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GWM160-0055P3
GWM160-0055P3
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HUFA76413DK8T-F085P
HUFA76413DK8T-F085P
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MCH6606-TL-EX
MCH6606-TL-EX
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GWM120-0075P3-SL
GWM120-0075P3-SL
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