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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Obsolete |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 65V |
| Frequenz - Übergang | 1.09GHz |
| Rauschmaß (db typ @ f) | - |
| gewinnen | 6dB |
| Leistung - max. | 2300W |
| Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce | 5 @ 1A, 5V |
| Strom - Kollektor (ic) (max) | 46A |
| Betriebstemperatur | 200°C (TJ) |
| Montageart | Chassis Mount |
| Paket / Koffer | M112 |
| Lieferantengerätepaket | M112 |
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