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LN60A01EP-LF

LN60A01EP-LF

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MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8DIP

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LN60A01EP-LF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,500 $0.67200 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 3 N-Channel, Common Gate
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80mA
rds ein (max) @ id, vgs 190Ohm @ 10mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
Leistung - max. 1.3W
Betriebstemperatur -20°C ~ 125°C (TJ)
Montageart Through Hole
Paket / Koffer 8-DIP (0.300", 7.62mm), 7 Leads
Lieferantengerätepaket 8-PDIP-7B
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Zugehörige Teilenummer

SP8K24FU6TB
DMP2100UCB9-7
NVMFD5485NLWFT3G
NVMFD5485NLWFT3G
$0 $/Stück
IRF7509TR
94-3449
94-3449
$0 $/Stück
SI5504DC-T1-E3

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