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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Active |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 50 V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 270mA (Ta) |
| Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 4.5V, 10V |
| rds ein (max) @ id, vgs | 7.5Ohm @ 100mA, 10V |
| vgs(th) (max) @ ID | 2.1V @ 250µA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 0.6 nC @ 10 V |
| vgs (max) | +12V, -20V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 23.2 pF @ 25 V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 420mW (Ta), 4.2W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart | Surface Mount, Wettable Flank |
| Lieferantengerätepaket | DFN1110D-3 |
| Paket / Koffer | 3-XDFN Exposed Pad |
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