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BUK9611-80E,118

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MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK

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BUK9611-80E,118 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
800 $0.89693 $717.544
1,600 $0.81048 -
2,400 $0.75645 -
5,600 $0.71863 -
568 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 75A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 5V
rds ein (max) @ id, vgs 10mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.1V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 48.8 nC @ 5 V
vgs (max) ±10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7149 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 182W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

PMXB75UPE147
PMXB75UPE147
$0 $/Stück
SI1499DH-T1-E3
FQD16N25CTM
FQD16N25CTM
$0 $/Stück
BSP320SL6433
PMPB10XNEZ
PMPB10XNEZ
$0 $/Stück
STW48N60M2-4
NTD4855NT4H
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$0 $/Stück
BSC029N025SG
STL51N3LLH5
2SK4065-E
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$0 $/Stück

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