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BUK9Y107-80EX

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MOSFET N-CH 80V 11.8A LFPAK56

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BUK9Y107-80EX Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,500 $0.23469 -
3,000 $0.21398 -
7,500 $0.20017 -
10,500 $0.18637 -
37,500 $0.17670 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 11.8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 5V
rds ein (max) @ id, vgs 98mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.1V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 6.2 nC @ 5 V
vgs (max) ±10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 706 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 37W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket LFPAK56, Power-SO8
Paket / Koffer SC-100, SOT-669
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Zugehörige Teilenummer

TMS70C02FNLR
SFP9520
SIR578DP-T1-RE3
SCT3030AW7TL
RM5N650LD
RM5N650LD
$0 $/Stück
PSMN3R7-25YLC,115
FQB33N10LTM
FQB33N10LTM
$0 $/Stück

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