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BUK9Y14-80E,115

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MOSFET N-CH 80V 62A LFPAK56

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BUK9Y14-80E,115 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,500 $0.44765 -
3,000 $0.41780 -
7,500 $0.39691 -
10,500 $0.38199 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 62A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 5V
rds ein (max) @ id, vgs 14mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.1V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 28.9 nC @ 5 V
vgs (max) ±10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4640 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 147W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket LFPAK56, Power-SO8
Paket / Koffer SC-100, SOT-669
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