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Name | Wert |
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Produktstatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Strom - Kollektor (ic) (max) | 500 mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50 V |
Widerstand - Basis (r1) | 1 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (r2) | 10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce | 70 @ 50mA, 5V |
vce-Sättigung (max) @ ib, ic | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 150 MHz |
Leistung - max. | 325 mW |
Montageart | Surface Mount |
Paket / Koffer | 3-XDFN Exposed Pad |
Lieferantengerätepaket | DFN1010D-3 |
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