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PEMD2,115

PEMD2,115

PEMD2,115

TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666

PEMD2,115 Technisches Datenblatt

nicht konform

PEMD2,115 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
4,000 $0.06831 -
8,000 $0.05940 -
12,000 $0.05049 -
28,000 $0.04752 -
100,000 $0.04158 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Not For New Designs
Transistortyp 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (ic) (max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V
Widerstand - Basis (r1) 22kOhms
Widerstand - Emitterbasis (r2) 22kOhms
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce 60 @ 5mA, 5V
vce-Sättigung (max) @ ib, ic 150mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max) 1µA
Frequenz - Übergang -
Leistung - max. 300mW
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer SOT-563, SOT-666
Lieferantengerätepaket SOT-666
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