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PHB33NQ20T,118

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MOSFET N-CH 200V 32.7A D2PAK

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PHB33NQ20T,118 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
800 $0.74684 $597.472
1,600 $0.67485 -
2,400 $0.62986 -
5,600 $0.59837 -
685 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 32.7A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 77mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 32.2 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1870 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 230W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

IXTN200N10L2
IXTN200N10L2
$0 $/Stück
FQD30N06TM
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FDD120AN15A0-F085
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DMN2450UFB4-7R
NTE2375
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IRFI7446GPBF
2SK3821-E
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