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PHC2300,118

PHC2300,118

PHC2300,118

MOSFET N/P-CH 300V 8SOIC

PHC2300,118 Technisches Datenblatt

compliant

PHC2300,118 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 300V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 340mA, 235mA
rds ein (max) @ id, vgs 6Ohm @ 170mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 6.24nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 102pF @ 50V
Leistung - max. 1.6W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SO
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Zugehörige Teilenummer

BSO203PNTMA1
SH8K51GZETB
SI1035X-T1-E3
FDG6322C_D87Z
FDG6322C_D87Z
$0 $/Stück
NTZD3156CT1G
NTZD3156CT1G
$0 $/Stück
SI9933BDY-T1-E3

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