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PMCB60XNZ

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PMCB60XN/NAX000/NONE

PMCB60XNZ Technisches Datenblatt

compliant

PMCB60XNZ Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.55000 $0.55
500 $0.5445 $272.25
1000 $0.539 $539
1500 $0.5335 $800.25
2000 $0.528 $1056
2500 $0.5225 $1306.25
17110 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.8V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 50mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 2.7 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 241 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 480mW (Ta), 7W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-883
Paket / Koffer SC-101, SOT-883
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