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PMN120ENEX

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PMN120ENE - 60V, N-CHANNEL TRENC

PMN120ENEX Technisches Datenblatt

nicht konform

PMN120ENEX Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.11708 -
6,000 $0.11130 -
15,000 $0.10264 -
30,000 $0.09686 -
75,000 $0.08820 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3.1A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 123mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.7V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 7.4 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 275 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.4W (Ta), 6.25W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 6-TSOP
Paket / Koffer SC-74, SOT-457
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Zugehörige Teilenummer

NTD20N03L27
NTD20N03L27
$0 $/Stück
SI1413DH-T1-GE3
IRFR2905ZPBF
SFT1350-H
SFT1350-H
$0 $/Stück
IPF10N03LA
STW37N60DM2AG
SI7368DP-T1-E3
IRLMS2002TR
IRFR4104TRL

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