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PMN25ENEAX

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MOSFET N-CH 30V 6.4A 6TSOP

PMN25ENEAX Technisches Datenblatt

nicht konform

PMN25ENEAX Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.49000 $0.49
500 $0.4851 $242.55
1000 $0.4802 $480.2
1500 $0.4753 $712.95
2000 $0.4704 $940.8
2500 $0.4655 $1163.75
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.4A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 24mOhm @ 6.4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 14 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 440 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 667mW (Ta), 7.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 6-TSOP
Paket / Koffer SC-74, SOT-457
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