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PMN25ENEH

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MOSFET N-CH 30V 6.1A 6TSOP

PMN25ENEH Technisches Datenblatt

compliant

PMN25ENEH Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.16197 $0.16197
500 $0.1603503 $80.17515
1000 $0.1587306 $158.7306
1500 $0.1571109 $235.66635
2000 $0.1554912 $310.9824
2500 $0.1538715 $384.67875
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.1A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 24mOhm @ 6.1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 18 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 597 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 560mW (Ta), 6.25mW (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 6-TSOP
Paket / Koffer SC-74, SOT-457
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Zugehörige Teilenummer

PMV48XPAR
PMV48XPAR
$0 $/Stück
SIHF080N60E-GE3
HUF76407D3
IPI90R1K0C3
PMPB12R5EPX
PMPB12R5EPX
$0 $/Stück
STP60NF06L
STP60NF06L
$0 $/Stück
FQB5N40TM
SIHP5N80AE-GE3

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