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PMN25ENEH

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MOSFET N-CH 30V 6.1A 6TSOP

PMN25ENEH Technisches Datenblatt

nicht konform

PMN25ENEH Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.16197 $0.16197
500 $0.1603503 $80.17515
1000 $0.1587306 $158.7306
1500 $0.1571109 $235.66635
2000 $0.1554912 $310.9824
2500 $0.1538715 $384.67875
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.1A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 24mOhm @ 6.1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 18 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 597 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 560mW (Ta), 6.25mW (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 6-TSOP
Paket / Koffer SC-74, SOT-457
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Zugehörige Teilenummer

PMV48XPAR
PMV48XPAR
$0 $/Stück
SIHF080N60E-GE3
HUF76407D3
IPI90R1K0C3
PMPB12R5EPX
PMPB12R5EPX
$0 $/Stück
STP60NF06L
STP60NF06L
$0 $/Stück
FQB5N40TM
SIHP5N80AE-GE3

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