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PMN55ENEX

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MOSFET N-CH 60V 4.5A 6TSOP

PMN55ENEX Technisches Datenblatt

nicht konform

PMN55ENEX Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.16520 -
6,000 $0.15640 -
15,000 $0.14760 -
30,000 $0.13704 -
75,000 $0.13264 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 60mOhm @ 3.4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.7V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 19 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 646 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 560mW (Ta), 6.25W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 6-TSOP
Paket / Koffer SC-74, SOT-457
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Zugehörige Teilenummer

PH7030AL,115
NTD15N06LT4
NTD15N06LT4
$0 $/Stück
SQ3427AEEV-T1_GE3
APT30F50B
SIHK065N60E-T1-GE3
FQPF4N20
FDMS86540
FDMS86540
$0 $/Stück
STP32NM50N
STP32NM50N
$0 $/Stück

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