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PMZ550UNEYL

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MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006-3

PMZ550UNEYL Technisches Datenblatt

nicht konform

PMZ550UNEYL Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
10,000 $0.05878 -
30,000 $0.05511 -
50,000 $0.04886 -
100,000 $0.04776 -
28043 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 590mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 670mOhm @ 590mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 950mV @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 1.1 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 30.3 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-883
Paket / Koffer SC-101, SOT-883
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Zugehörige Teilenummer

SI2321-TP
SI2321-TP
$0 $/Stück
SCH1337-TL-W
SCH1337-TL-W
$0 $/Stück
SIHP16N50C-E3
CPH3439-TL-E
CPH3439-TL-E
$0 $/Stück
ZVN3320ASTOA
SI4890DY-T1-E3
SIR440DP-T1-GE3

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