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PSMN039-100YS,115

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MOSFET N-CH 100V 28.1A LFPAK56

nicht konform

PSMN039-100YS,115 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,500 $0.28160 -
3,000 $0.25520 -
7,500 $0.23760 -
10,500 $0.22880 -
37,500 $0.22400 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 28.1A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 39.5mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 23 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1847 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 74W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket LFPAK56, Power-SO8
Paket / Koffer SC-100, SOT-669
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Zugehörige Teilenummer

PSMN011-60MSX
R6007ENX
R6007ENX
$0 $/Stück
PMV52ENEAR
PMV52ENEAR
$0 $/Stück
DMTH6010LK3Q-13
SPI15N65C3
FCD360N65S3R0
FCD360N65S3R0
$0 $/Stück
IRL640SPBF
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$0 $/Stück

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