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PSMN2R7-30BL,118

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MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK

nicht konform

PSMN2R7-30BL,118 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
800 $0.81769 $654.152
1,600 $0.73887 -
2,400 $0.68961 -
5,600 $0.65513 -
2834 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.15V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 66 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3954 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 170W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

FDPF16N50T
FDPF16N50T
$0 $/Stück
NTB35N15T4G
NTB35N15T4G
$0 $/Stück
SI7450DP-T1-E3
SQD40131EL_GE3
DMP21D0UFD-7
PSMN5R2-60YLX
FQB9N08TM

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