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PSMN4R1-60YLX

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MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56

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PSMN4R1-60YLX Preise und Bestellung

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1,500 $0.57701 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 100A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.1mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.1V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 103 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7853 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 238W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket LFPAK56, Power-SO8
Paket / Koffer SC-100, SOT-669
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Zugehörige Teilenummer

TP2640LG-G
FQD7N10LTM
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MCH6337-TL-H
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FQPF13N50CF
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IXTB30N100L
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NVTR01P02LT1G
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NTMFS6H800NLT1G
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