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2N7000

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MOSFET N-CHANNEL 60V 200MA TO92

2N7000 Technisches Datenblatt

nicht konform

2N7000 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.47000 $0.47
10 $0.37000 $3.7
100 $0.25570 $25.57
500 $0.17718 $88.59
1,000 $0.13434 -
5652 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 200mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs 5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 60 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-92
Paket / Koffer TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
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Zugehörige Teilenummer

FDD2582
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$0 $/Stück
ISL9N310AD3
MTSF3N02HDR2
MTSF3N02HDR2
$0 $/Stück
NDF05N50ZH
NDF05N50ZH
$0 $/Stück
NVMFS6H848NLT1G
NVMFS6H848NLT1G
$0 $/Stück

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