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1N4448,143

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1N4448,143

NXP USA Inc.

DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

SOT-23

1N4448,143 Technisches Datenblatt

nicht konform

1N4448,143 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
Diodentyp Standard
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 100 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 200mA (DC)
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 1 V @ 100 mA
Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Sperrverzögerungszeit (trr) 4 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 25 nA @ 20 V
Kapazität @ vr, f 4pF @ 0V, 1MHz
Montageart Through Hole
Paket / Koffer DO-204AH, DO-35, Axial
Lieferantengerätepaket ALF2
Betriebstemperatur - Kontaktstelle 200°C (Max)
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