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A2G35S160-01SR3

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A2G35S160-01SR3

A2G35S160-01SR3

NXP USA Inc.

AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

A2G35S160-01SR3 Technisches Datenblatt

nicht konform

A2G35S160-01SR3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
250 $116.37008 $29092.52
223 items
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Name Wert
Produktstatus Active
Transistortyp LDMOS
Frequenz 3.4GHz ~ 3.6GHz
gewinnen 15.7dB
Spannungsprüfung 48 V
Nennstrom (Ampere) -
Rauschzahl -
aktuell - test 190 mA
Leistung - Leistung 51dBm
Spannung - Nenn 125 V
Paket / Koffer NI-400S-2S
Lieferantengerätepaket NI-400S-2S
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Ampleon USA Inc.
BLF7G27LS-150P,118
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BLF888ESU
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FSS262-TL-E
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