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A2G35S200-01SR3

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A2G35S200-01SR3

A2G35S200-01SR3

NXP USA Inc.

AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

A2G35S200-01SR3 Technisches Datenblatt

compliant

A2G35S200-01SR3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
250 $123.43584 $30858.96
160 items
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Name Wert
Produktstatus Active
Transistortyp GaN HEMT
Frequenz 3.4GHz ~ 3.6GHz
gewinnen 16.1dB
Spannungsprüfung 48 V
Nennstrom (Ampere) -
Rauschzahl -
aktuell - test 291 mA
Leistung - Leistung 180W
Spannung - Nenn 125 V
Paket / Koffer NI-400S-2S
Lieferantengerätepaket NI-400S-2S
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Zugehörige Teilenummer

CLF1G0035S-50
Ampleon USA Inc.
CLF1G0035S-50
$0 $/Stück
BLM8G0710S-30PBY
Ampleon USA Inc.
BLM8G0710S-30PBY
$0 $/Stück
BLC8G27LS-100AVZ
Ampleon USA Inc.
BLC8G27LS-100AVZ
$0 $/Stück
BLP05M7200Y
Ampleon USA Inc.
BLP05M7200Y
$0 $/Stück
MRFX035HR5
NXP USA Inc.
MRFX035HR5
$0 $/Stück
BLF178P,112
Ampleon USA Inc.
BLF178P,112
$0 $/Stück
LET20030C
STMicroelectronics
LET20030C
$0 $/Stück
NE3512S02-T1D-A
Renesas Electronics America Inc
NE3512S02-T1D-A
$0 $/Stück
MRFE6VP61K25HR5
NXP USA Inc.
MRFE6VP61K25HR5
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STB60N06HDT4
onsemi
STB60N06HDT4
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