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A3T09S100NR1

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A3T09S100NR1

A3T09S100NR1

NXP USA Inc.

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

A3T09S100NR1 Technisches Datenblatt

compliant

A3T09S100NR1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $29.40000 $29.4
500 $29.106 $14553
1000 $28.812 $28812
1500 $28.518 $42777
2000 $28.224 $56448
2500 $27.93 $69825
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Name Wert
Produktstatus Active
Transistortyp LDMOS
Frequenz 136MHz ~ 941MHz
gewinnen 22.8dB
Spannungsprüfung 28 V
Nennstrom (Ampere) 10µA
Rauschzahl -
aktuell - test 450 mA
Leistung - Leistung 100W
Spannung - Nenn 65 V
Paket / Koffer TO-270-2
Lieferantengerätepaket TO-270-2
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Zugehörige Teilenummer

MCH6644-C-TL-E
onsemi
MCH6644-C-TL-E
$0 $/Stück
PXAE263708NB-V1-R0
Wolfspeed, Inc.
PXAE263708NB-V1-R0
$0 $/Stück
3N201
Solid State Inc.
3N201
$0 $/Stück
2SK1726-TD-E
onsemi
2SK1726-TD-E
$0 $/Stück
MHT1801B
NXP USA Inc.
MHT1801B
$0 $/Stück
A3G35H100-04SR3
NXP USA Inc.
A3G35H100-04SR3
$0 $/Stück
WP28007025
WAVEPIA.,Co.Ltd
WP28007025
$0 $/Stück
MWT-LN600
Microwave Technology Inc.
MWT-LN600
$0 $/Stück
2SJ636-TL-E
onsemi
2SJ636-TL-E
$0 $/Stück
MRFE6S9135HR5
Freescale Semiconductor
MRFE6S9135HR5
$0 $/Stück
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