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Name | Wert |
---|---|
Produktstatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 3V |
Frequenz - Übergang | 53GHz |
Rauschmaß (db typ @ f) | 0.75dB @ 6GHz |
gewinnen | 15.8dB |
Leistung - max. | 160mW |
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce | 205 @ 2mA, 3V |
Strom - Kollektor (ic) (max) | 30mA |
Betriebstemperatur | - |
Montageart | Surface Mount |
Paket / Koffer | 3-XFDFN |
Lieferantengerätepaket | DFN1006C-3 |
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