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BLF7G20LS-90P,112

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BLF7G20LS-90P,112

BLF7G20LS-90P,112

NXP USA Inc.

RF PFET, 2-ELEMENT, L BAND, SILI

BLF7G20LS-90P,112 Technisches Datenblatt

nicht konform

BLF7G20LS-90P,112 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
60 $71.15767 $4269.4602
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Name Wert
Produktstatus Active
Transistortyp LDMOS (Dual), Common Source
Frequenz 2.11GHz ~ 2.17GHz
gewinnen 19.5dB
Spannungsprüfung 28 V
Nennstrom (Ampere) 2µA
Rauschzahl -
aktuell - test 550 mA
Leistung - Leistung 90W
Spannung - Nenn 65 V
Paket / Koffer SOT-1121B
Lieferantengerätepaket LDMOST
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