Welcome to ichome.com!
| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Obsolete |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 200 V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 300mA (Ta) |
| Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 2.8V |
| rds ein (max) @ id, vgs | 5Ohm @ 100mA, 2.8V |
| vgs(th) (max) @ ID | 1.8V @ 1mA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | - |
| vgs (max) | ±20V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 120 pF @ 25 V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-92-3 |
| Paket / Koffer | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.