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BUK6607-75C,118

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NXP USA Inc.

MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK

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BUK6607-75C,118 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
4,800 $0.62412 -
804 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 75 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.8V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 123 nC @ 10 V
vgs (max) ±16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7600 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 204W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

RTR025N03HZGTL
IXTQ86N20T
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$0 $/Stück
STB28NM50N
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5LN01M-TL-H
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$0 $/Stück
SIR800ADP-T1-RE3
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FDB86569-F085
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