Welcome to ichome.com!

logo
Heim

BUK7510-100B,127

BUK7510-100B,127

BUK7510-100B,127

NXP USA Inc.

PFET, 75A I(D), 100V, 0.01OHM, 1

nicht konform

BUK7510-100B,127 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.76000 $0.76
500 $0.7524 $376.2
1000 $0.7448 $744.8
1500 $0.7372 $1105.8
2000 $0.7296 $1459.2
2500 $0.722 $1805
1139 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 75A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 10mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 80 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6773 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

FDS5692Z
NDB4060L
NVMFS5C456NLAFT3G
NVMFS5C456NLAFT3G
$0 $/Stück
SUP90142E-GE3
FQU20N06TU
IRF740ASTRLPBF
SIA440DJ-T1-GE3
AUIRLZ44Z

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.