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BUK7510-55AL127

BUK7510-55AL127

BUK7510-55AL127

NXP USA Inc.

N-CHANNEL POWER MOSFET

compliant

BUK7510-55AL127 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.02000 $1.02
500 $1.0098 $504.9
1000 $0.9996 $999.6
1500 $0.9894 $1484.1
2000 $0.9792 $1958.4
2500 $0.969 $2422.5
4769 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 55 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 75A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 10mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 124 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6280 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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