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BUK9515-100A127

BUK9515-100A127

BUK9515-100A127

NXP USA Inc.

N-CHANNEL POWER MOSFET

compliant

BUK9515-100A127 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.95000 $0.95
500 $0.9405 $470.25
1000 $0.931 $931
1500 $0.9215 $1382.25
2000 $0.912 $1824
2500 $0.9025 $2256.25
8000 items
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 75A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 14.4mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 8600 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 230W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

STWA75N60DM6
NTMFS4839NHT3G
NTMFS4839NHT3G
$0 $/Stück
RM60P04Y
RM60P04Y
$0 $/Stück
ZXMP7A17GQTC
FQAF19N20
IXFH76N15T2
IXFH76N15T2
$0 $/Stück

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