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BUK9E1R9-40E,127

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BUK9E1R9-40E,127

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH 40V I2PAK

nicht konform

BUK9E1R9-40E,127 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.87000 $0.87
500 $0.8613 $430.65
1000 $0.8526 $852.6
1500 $0.8439 $1265.85
2000 $0.8352 $1670.4
2500 $0.8265 $2066.25
5048 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 120A (Tj)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs -
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket I2PAK
Paket / Koffer TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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Zugehörige Teilenummer

NTLUS3192PZTBG
NTLUS3192PZTBG
$0 $/Stück
FDWS86369-F085
FDWS86369-F085
$0 $/Stück
SI4835DDY-T1-GE3
PMN34LN,135
PMN34LN,135
$0 $/Stück
STI400N4F6
STI400N4F6
$0 $/Stück
SIHB24N65EF-GE3
SIHH11N60EF-T1-GE3
VP3203N3-G
SUM110N10-09-E3

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