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MHE1003NR3

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MHE1003NR3

NXP USA Inc.

RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO

MHE1003NR3 Technisches Datenblatt

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MHE1003NR3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
250 $130.19528 $32548.82
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
Transistortyp LDMOS
Frequenz 2.4GHz ~ 2.5GHz
gewinnen 14.1dB
Spannungsprüfung 28 V
Nennstrom (Ampere) 10µA
Rauschzahl -
aktuell - test 50 mA
Leistung - Leistung 53dBm
Spannung - Nenn 65 V
Paket / Koffer OM-780-2
Lieferantengerätepaket OM-780-2
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Zugehörige Teilenummer

CLF1G0035S-200P
NE3508M04-A
NE3508M04-A
$0 $/Stück
BF1101WR,135
BF1101WR,135
$0 $/Stück
BF245C_J35Z
BF245C_J35Z
$0 $/Stück
NE34018-T1-A
NE34018-T1-A
$0 $/Stück
PD85004
PD85004
$0 $/Stück
MRF9030LSR5
MRF9030LSR5
$0 $/Stück
ATF-34143-TR1G

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