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MRFX1K80NR5578

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MRFX1K80NR5578

MRFX1K80NR5578

NXP USA Inc.

RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

MRFX1K80NR5578 Technisches Datenblatt

compliant

MRFX1K80NR5578 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Active
Transistortyp LDMOS (Dual)
Frequenz 1.8MHz ~ 400MHz
gewinnen 24.4dB
Spannungsprüfung 65 V
Nennstrom (Ampere) 100mA
Rauschzahl -
aktuell - test 100 mA
Leistung - Leistung 1800W
Spannung - Nenn 179 V
Paket / Koffer OM-1230-4L2L
Lieferantengerätepaket OM-1230-4L2L
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Zugehörige Teilenummer

A2T18S162W31SR3
NXP USA Inc.
A2T18S162W31SR3
$0 $/Stück
MMRF5015NR5
NXP USA Inc.
MMRF5015NR5
$0 $/Stück
PTAB182002TCV2R250XTMA1
Infineon Technologies
PTAB182002TCV2R250XTMA1
$0 $/Stück
PXAC201602FC-V1
Wolfspeed, Inc.
PXAC201602FC-V1
$0 $/Stück
MHT1008NT1515
Freescale Semiconductor
MHT1008NT1515
$0 $/Stück
AFT23H201-24SR6
NXP USA Inc.
AFT23H201-24SR6
$0 $/Stück
MRF5S19130HSR3
NXP USA Inc.
MRF5S19130HSR3
$0 $/Stück
MCH5818-TL-E
onsemi
MCH5818-TL-E
$0 $/Stück
PD85050S
STMicroelectronics
PD85050S
$0 $/Stück
PTRA093302DCV1R2XTMA1
Infineon Technologies
PTRA093302DCV1R2XTMA1
$0 $/Stück
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