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PDTC123TMB,315

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PDTC123TMB,315

NXP USA Inc.

NOW NEXPERIA PDTC123TMB - SMALL

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PDTC123TMB,315 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
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Name Wert
Produktstatus Active
Transistortyp NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (ic) (max) 100 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V
Widerstand - Basis (r1) 2.2 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (r2) -
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce 30 @ 20mA, 5V
vce-Sättigung (max) @ ib, ic 150mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max) 1µA
Frequenz - Übergang 230 MHz
Leistung - max. 250 mW
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer SC-101, SOT-883
Lieferantengerätepaket DFN1006B-3
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Zugehörige Teilenummer

PDTD113ZTVL
PDTD113ZTVL
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SMMUN2211LT1G
SMMUN2211LT1G
$0 $/Stück
DTA043XMT2L
DDTC113TE-7-F
DTC115GUAT106
PDTD113EUF
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$0 $/Stück
PDTC114YQAZ
PDTC114YQAZ
$0 $/Stück
MUN2111T3
MUN2111T3
$0 $/Stück
DDTA143ZE-7
DTA123EETL
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$0 $/Stück

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