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Name | Wert |
---|---|
Produktstatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Strom - Kollektor (ic) (max) | 100 mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50 V |
Widerstand - Basis (r1) | 4.7 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (r2) | 4.7 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce | 30 @ 10mA, 5V |
vce-Sättigung (max) @ ib, ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max) | 1µA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung - max. | 500 mW |
Montageart | Through Hole |
Paket / Koffer | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
Lieferantengerätepaket | TO-92-3 |
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