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PH3530DL115

PH3530DL115

PH3530DL115

NXP USA Inc.

POWER TRANSISTOR, MOSFET

PH3530DL115 Technisches Datenblatt

compliant

PH3530DL115 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.43000 $0.43
500 $0.4257 $212.85
1000 $0.4214 $421.4
1500 $0.4171 $625.65
2000 $0.4128 $825.6
2500 $0.4085 $1021.25
24000 items
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ -
Technologie -
Drain-Source-Spannung (VDSS) -
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C -
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs -
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -
Montageart -
Lieferantengerätepaket -
Paket / Koffer -
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Zugehörige Teilenummer

DMN10H220LFVW-7
NTHL099N60S5
NTHL099N60S5
$0 $/Stück
DMTH4007LPSQ-13
RV4C020ZPHZGTCR1
IRFR9014PBF-BE3
APTM50SKM17G
NVMFS6H848NWFT1G
NVMFS6H848NWFT1G
$0 $/Stück
DMT8012LFG-7
SCTWA90N65G2V

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