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PHB176NQ04T,118

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PHB176NQ04T,118

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

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PHB176NQ04T,118 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 75A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.3mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 68.9 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3620 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

ZVN2106ASTOB
AUIRF7739L2
FQB4P25TM
FQB4P25TM
$0 $/Stück
R6030KNZC8
R6030KNZC8
$0 $/Stück
SI3483DV-T1-GE3
STB185N55F3
IXTA110N055T
IXTA110N055T
$0 $/Stück
IRL3103S
IPP06CNE8N G

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